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參數資料
| 型號： | 2SA1988 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER INDUSTRIAL USE |
| 中文描述： | 進步黨硅晶體管功率放大器工業(yè)用 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | 2SA1988 |
2
2SA1988
CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
- Collector to Emitter Voltage - V
I
C
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
°
C
d
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
20
0
50
100
150
20
40
60
80
100
40
60
80
100
120
140
160
140
120
100
80
60
40
20
-0.1
-1
-1
-10
-100
-10
-100
-1000
T
= 25
°
C
Single Pulse
0
-20
-30
-4
-6
-10
S/b Lmted
DsspaionLmted
PW=1ms
DsspaionLmted
I
C(Pulse)
I
C(DC)
SbLme
-8
-10
-12
-2
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
I
B
=120mA
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
°
C
0.01
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
100
μ
10ms
100ms
200ms
Pulsed
10
1
0.1
Single Pulse
T
C
=25
°
C
R
th (J-C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2005 | High-voltage Switching?。裕颍幔睿螅椋螅簦铮?高電壓開關晶體管) |
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| 2SA2068E | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1KBOX | 制造商:Metallics 功能描述:Exact Equal/ 1-5 Days |
| 2SA200 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -15V -.005A .03 |
| 2SA2002 | 制造商:ISAHAYA 制造商全稱:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR HIGH CURRENT APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE MICRO(FRAME TYPE) |
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