參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1960
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Epitaxial
中文描述: npn型硅外延
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大?。?/td> 29K
代理商: 2SA1960
2SA1960
4
1000
800
600
400
200
0
50
100
150
200
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
Collector Power Dissipation Curve
100
20
50
10
1
2
5
–100
μ
–1
–10
–100
–500
V = –5V
Collector Current I (mA)
D
F
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
–100
μ
–1
–10
–100
–500
–5
–2
–1
–0.2
–0.5
–0.1
–0.05
I / I = 10
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
C
V
Collector Current I (mA)
–500
–200
–100
–20
–10
–5
–50
–2
–1
–0.2
–0.1
–0.5
–0.5
–1.0
–1.5
V = –5V
C
C
Collector Current vs.
Base to Emitter Voltage
Base to Emitter Voltage V (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1964 For Audio Amplifier Output Stages/TV Velocity Modulation(音頻放大器輸出極晶體管/電視速率調(diào)節(jié)晶體管)
2SC5248 For Audio Amplifier Output Stages/TV Velocity?。停铮洌酰欤幔簦椋铮?音頻放大器輸出極晶體管/電視速率調(diào)節(jié)晶體管)
2SA1965 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for Muting Circuit Applications(用于噪聲抑制電路的PNP硅外延平面型晶體管)
2SA1967 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于高電壓放大器,高電壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
2SA1968LS High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA19610QAHW 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA19620TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
2SA1962-O 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q,T) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2