參數(shù)資料
型號： 2SA1960
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial
中文描述： npn型硅外延
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SA1960
2SA1960
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–80
—
—
V
I
C
= –100
μ
A
I
E
= 0
I
C
= –1 mA
R
BE
=
∞
V
CB
= –60 V
I
E
= 0
V
EB
= –3 V
I
C
= 0
V
= –5 V, I
C
= –50 mA
Pulse test
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–80
—
—
V
Collector to base cutoff current
I
CBO
—
—
–1.0
μ
A
Emitter to base cutoff current
I
EBO
—
—
–10
μ
A
DC current transfer ratio
h
FE
20
60
—
Gain bandwidth product
f
T
1.1
1.3
—
GHz
V
CE
= –10 V
I
C
= –50 mA
V
= 0, I
C
= 0
f = 1 MHz
Emitter input capacitance
Cib
—
14.5
18
pF
Collector output capacitance
Cob
—
2.9
4.0
pF
V
= –10 V, I
E
= 0
f = 1 MHz
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