參數(shù)資料
型號： 2SA1776TV2/Q
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 250K
代理商： 2SA1776TV2/Q
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Electrical characteristic curves
0
-10
-6
-8
-4
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-2
0
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
l
C
(A)
Fig.1 Grouded emitter output
characteristics
-80mA
-
200mA
0
-2.0
-0.2-0.4-0.6-0.8-1.0-1.2-1.4-1.6 -1.8
-0.0005
-0.001
-0.002
-0.005
-0.01
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
l
C
(A)
Fig.2 Grounded emitter propagation
characteristics
VCE
=-5V
-0.001
-0.002 -0.01
-0.05
-1
-0.1
-0.2-0.5
-0.02
-0.005
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC current gain vs.
collector current ( )
Ta
=25°C
VCE
=-10V
-5V
Ta
=25°C
lB=-
20mA
-40mA
-60mA
-100mA
-120mA
-140mA
-
160mA
-
180mA
-
25
°C
25
°C
Ta=100
°C
-0.001
-0.002 -0.01
-0.05
-1
-0.1
-0.2-0.5
-0.02
-0.005
-0.01
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
BASE
SATURATION
VOLTAGE
:
V
BE
(sat)
(V)
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
lC/lB
=10
Ta
=100°C
Ta
=-25°C
VCE(sat)
VBE(sat)
-0.001
-0.002 -0.01
-0.05
-1
-0.1
-0.2-0.5
-0.02
-0.005
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.4 DC current gain vs.
collector current ( )
VCE
=-5V
Ta
=100°C
25
°C
-25
°C
-0.001
-0.002 -0.01
-0.05
-1
-0.1
-0.2-0.5
-0.02
-0.005
-0.01
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat)
(V)
Fig.5 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta
=25°C
lC/lB=
50
20
10
25
°C
25
°C 100°C
-25
°C
-1
-2 -5-10
-20 -50-100 -200-500
-0.001
-0.002
-0.005
-0.01
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
l
C
(A)
Fig.9 Safe operating area (2SA1812)
Ta
=25°C
(When mounted on a
40 40 0.7mm
ceramic board.)
Single
nonrepetitive
pulse
PW
=10ms
100ms
lC Max. (Pulse )
0.0005
0.001
0.005
0.2 0.5
0.02 0.050.1
0.01
0.002
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
COLLECTOR CURRENT : IE (A)
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T
(MH
Z
)
Fig.7 TRANSITION FREQUENCY
vs. EMITTER CURRENT
Ta
=25°C
VCE
=-5V
-0.05
-50
-1
-2 -5-10
-20
-0.5
-0.1 -0.2
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE: VCB (V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:
C
Ob
(pF)
Fig.8 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Ta
=25°C
f
=1MHZ
lE
=0A
Transistors
1/3
2/3
Rev.A
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2SA1790JCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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