參數(shù)資料
型號： 2SA1776TV2/P
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ATV, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 250K
代理商： 2SA1776TV2/P
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
82
150
12
18
270
V
MHz
pF
IC
50 A
IC
1mA
IE
50 A
VCB
400V
VEB
6V
IC/IB
100mA / 10mA
VBE(sat)
V
IC/IB
100mA / 10mA
VCE
5V , IC
50mA
VCB
5V , IE
50mA , f
5MHz
VCE
10V , IE
0A , f
1MHz
ton
0.6
tstg
2.7
tf
1
Type
2SA1812
MPT3
PQ
T100
3000
2SA1727
CPT3
PQ
TL
3000
2SA1776
ATV
PQ
TV2
AJ
2500
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
7
0.5
2
0.5
150
55 to
+150
Unit
V
A (DC)
1.0
1
A (Pulse)
W
W (Tc
25
°C)
1
2SA1812
2SA1727
2SA1776
W
10
1
°C
1 Single pulse
2 When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board.
3 When t = 1.7mm and the foil collector area on the PC board is 1cm2 or greater.
IC
100mA, RL 1.5k
IB1
IB2
10mA
VCC to 150V
Denotes
hFE
2
3
High-voltage Switching Transistor
( 400V, 0.5A)
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
2SA1812 / 2SA1727 / 2SA1776
Packaging specifications and hFE
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
Marking
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current tranfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Base-emitter saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time
400
7
10
1
1.2
A
s
400
Features
1) High breakdown voltage, BVCEO= 400V.
2) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = 0.3V at IC / IB = 100mA / 10mA.
3) High switching speed, typically tf : 1 s at IC = 100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
Transistors
2/3
1/3
Rev.A
相關PDF資料
PDF描述
2SA1776TV2P 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1727TL 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1730-Q 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1730R 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
2SA1730 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1776TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1778-3-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 50MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1783 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORTO-92 -55V -.15A .5W ECB
2SA1786E-AN 制造商:SANYO 功能描述:PNP 400V 0.1A 100 to 200 NMP Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP HIGHV 400V 2A SC-71 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SA1790GCL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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