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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1190 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial |
| 中文描述： | 硅外延進(jìn)步黨 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SA1190 |
2SA1190, 2SA1191
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
2SA1190
2SA1191
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
E
P
C
Tj
–90
–120
V
Collector to emitter voltage
–90
–120
V
Emitter to base voltage
–5
–5
V
Collector current
–100
–100
mA
Emitter current
100
100
mA
Collector power dissipation
400
400
mW
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1191 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1193K | Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
| 2SA1193 | Silicon PNP Epitaxial, Darlington |
| 2SA1194 | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1194K | Silicon PNP Epitaxial |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1190D | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 90V 0.1A 3-Pin TO-92 |
| 2SA1190DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1190E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1190ETZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA1191 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial |
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