參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002CSM-JQR-AG4
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： CERAMIC, SOT-23, LCC1-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 14K
代理商： 2N7002CSM-JQR-AG4
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 7/98
2N7002CSM
* Pulse width limited by maximum junction temperature.
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
MOS TRANSISTOR
FEATURES
V(BR)DSS = 60V
RDS(ON) = 7.5
ID = 0.115A
VDS
Drain – Source Voltage
VGS
Gate – Source Voltage
ID
Drain Current
@ TCASE = 25°C
ID
Drain Current
@ TCASE = 100°C
IDM
Pulsed Drain Current *
PD
Power Dissipation
@ TCASE = 25°C
PD
Power Dissipation
@ TCASE = 100°C
Tj
Operating Junction Temperature Range
Tstg
Storage Temperature Range
60V
±40V
±0.115A
±0.073A
0.8A
200mW
80mW
–55 to 150°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TCASE = 25°C unless otherwise stated)
SOT23 CERAMIC
(LCC1 PACKAGE)
21
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31
(0.012)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2.
54
±
0.
13
(0
.10
±
0.
005)
0.
76
±
0.
1
5
(0
.03
±
0.
00
6)
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
1.40
(0.055)
max.
A
0.31
(0.012)
rad.
A =
3
PAD 1 – Gate
Underside View
PAD 2 – Source
PAD 3 – Drain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002E-13 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002E-T1-GE3 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002FT/R 475 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
2N7002G-AL6-R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7002G-AL3-R 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:115mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件編號(hào):2N7002 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7002DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002DSPT 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET
2N7002DW 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002DW _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
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