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參數(shù)資料
| 型號： | 2N7000AMO |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SPT, TO-92 VARIANT, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/13頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | 2N7000AMO |
Philips Semiconductors
2N7000
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Product specication
Rev. 03 — 19 May 2000
8 of 13
9397 750 07153
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
Tj =25 °C and 150 °C; VGS =0V
Fig 13. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward)
voltage; typical values.
03aa08
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Tj = 25
o
C
150
o
C
VGS= 0 V
I
S
(A)
V
SD
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0580-0186-25 | Power Magnetics |
| 0580-0186-50 | Power Magnetics |
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| 0580-0296-20 | Power Magnetics |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7000-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo |
| 2N7000BU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7000BU_T | |
| 2N7000CSM | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETHI-RELN CH60V0.2ALCC1 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFET,HI-REL,N CH,60V,0.2A,LCC1 |
| 2N7000CSM_06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Na??CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
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