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參數(shù)資料
| 型號： | 2N7000,126 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SPT, TO-92 VARIANT, SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/13頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | 2N7000,126 |
Philips Semiconductors
2N7000
N-channel enhancement mode eld-effect transistor
Product specication
Rev. 03 — 19 May 2000
4 of 13
9397 750 07153
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
vertical in still air;
lead length
≤ 5 mm; Figure 4
150
K/W
Vertical in still air.
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse
duration.
03aa00
0.1
1
10
100
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
tp(s)
Zth(j-a)
(K/W)
single pulse
δ = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
T
P
t
T
δ =
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000AMO | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 0580-0186-25 | Power Magnetics |
| 0580-0186-50 | Power Magnetics |
| 0580-0256-25 | Power Magnetics |
| 0580-0296-20 | Power Magnetics |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7000-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TO226 VNDS06 |
| 2N7000A | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7000AMO | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300 MA, 60 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, SOT54 VARIANT |
| 2N7000-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo |
| 2N7000BU | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Sm Sig RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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