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參數資料
| 型號： | 2N6667BU |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 34/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | 2N6667BU |
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2N6667 2N6668
3–150
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
Figure 9. Typical DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.2
0.3
0.5
0.7
1
2
10
500
300
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
VCE = 3 V
200
7
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
35
Figure 10. Typical Collector Saturation Region
2.6
IB, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1
2
3
5
7
30
2.2
1.8
1.4
1
IC = 2 A
TJ = 25°C
4 A
6 A
0.6
0.7
20
10
TJ = – 55°C
7000
700
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
V,
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
Figure 11. Typical “On” Voltages
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 3 V
0.1
0.2 0.3
0.5
0.7
1
2
10
7
35
3
2
1.5
1
0.5
Figure 12. Typical Temperature Coefficients
+3
+2
0
–1
–2
–3
+5
+4
+1
2.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
10
7
35
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
θVB for VBE
–4
–5
θVC for VCE(sat)
hFE @VCE + 3.0 V
3
*IC/IB ≤
105
Figure 13. Typical Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A
)
I C
10–1
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100
°C
25
°C
REVERSE
FORWARD
103
104
+ 0.2
+ 0.4
0
– 0.2
– 0.4 – 0.6 – 0.8
– 1.2 – 1.4
–1
+ 0.6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6671.MOD | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6671R1 | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6673.MOD | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6673.MODR1 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6674-JQR-B | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6667G | 功能描述:達林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6668 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6668 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| 2N6668G | 功能描述:達林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6671 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk |
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