參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6667BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/61頁(yè)
文件大?。?/td> 376K
代理商： 2N6667BD
2–11
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
4
80
BD779 (2)
BD780 (2)
750 min
2
20
15
MJE802 (2)
MJE702 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
MJE803 (2)
MJE703 (2)
750 min
2
1(1)
40
2N6039 (2)
2N6036 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
100
BD681(2)
BD682(2)
750 min
1.5
40
BD791
BD792
10 min
2
40
15
MJE243
MJE253
40/120
0.2
0.15 typ
0.07 typ
2
40
15
5
25
MJE200
MJE210
45/180
2
0.13 typ
0.035 typ
2
65
15
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
300
MJD340
MJD350
30/240
0.05
15
1
250
MJD47
30/150
0.3
2
0.2
0.3
10
15
375
MJD5731
TBD
400
MJD50
30/150
0.3
2
0.2
0.3
10
15
1.5
400
MJD13003
5/25
1
4
0.7
1
4
15
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(12)Case 369–07 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A–13 may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 369(12)
1
3
2
1
3
2
4
CASE 369A(13)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6667BA 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667AF 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AK 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AS 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AU 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
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