參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6667BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/61頁(yè)
文件大?。?/td> 376K
代理商： 2N6667BD
2N6667 2N6668
3–148
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
2N6667
(IC = 200 mAdc, IB = 0)
2N6668
VCEO(sus)
60
80
—
Vdc
Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0)
2N6667
(VCE = 80 Vdc, IB = 0)
2N6668
ICEO
—
1
mAdc
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
2N6667
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
2N6668
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C)
2N6667
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C)
2N6668
ICEX
—
300
3
Adc
mAdc
Emitter Cutoff Current (VBE = 5 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
5
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain (IC = 5 Adc, VCE = 3 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 3 Vdc)
hFE
1000
100
20000
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
VCE(sat)
—
2
3
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage(IC = 5 Adc, IB = 0.01 Adc)
(IC = 10 Adc, IB = 0.1 Adc)
VBE(sat)
—
2.8
4.5
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, ftest = 1 MHz)
|hfe|
20
—
—
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
—
200
pF
Small–Signal Current Gain (IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc, f = 1 kHz)
hfe
1000
—
—
* Indicates JEDEC Registered Data
(1) Pulse Test: Pulse Width
v 300 s, Duty Cycle v 2%.
Figure 2. Switching Times Test Circuit
0
VCC
– 30 V
SCOPE
TUT
+ 4.0 V
tr, tf v 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
RC
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES e.g.,
1N5825 USED ABOVE IB [ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB [ 100 mA
25
s
D1
51
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
V2
APPROX
+ 8 V
V1
APPROX
– 12 V
[ 8 k
[ 120
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED AND V2 = 0
RB
t,TIME
(
s)
80
40
20
0
20
40
80
100
120
160
Figure 3. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
60
TA TC
4
2
1
3
0
60
140
TA
TC
0.1
Figure 4. Typical Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
0.7
0.3
0.2
10
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
tf
15
ts
tr
0.1
1
3
0.5
2
.td
0.5
2
7
0.3
0.7
3
7
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6667BA 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667AF 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AK 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AS 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668AU 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*