參數(shù)資料
型號： 2N6667AJ
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 18/61頁
文件大?。?/td> 376K
代理商： 2N6667AJ
5–3
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.530 REF
38.86 REF
B
0.990
1.050
25.15
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.057
0.063
1.45
1.60
E
0.060
0.070
1.53
1.77
G
0.430 BSC
10.92 BSC
H
0.215 BSC
5.46 BSC
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.665 BSC
16.89 BSC
N
0.760
0.830
19.31
21.08
Q
0.151
0.165
3.84
4.19
U
1.187 BSC
30.15 BSC
V
0.131
0.188
3.33
4.77
CASE 197A–05
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.30 (0.012)
Y M
T
M
Y
M
0.25 (0.010)
T
–Q–
–Y–
2
1
L
G
B
V
H
U
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.570
0.620
14.48
15.75
B
0.380
0.405
9.66
10.28
C
0.160
0.190
4.07
4.82
D
0.025
0.035
0.64
0.88
F
0.142
0.147
3.61
3.73
G
0.095
0.105
2.42
2.66
H
0.110
0.155
2.80
3.93
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.15
1.52
N
0.190
0.210
4.83
5.33
Q
0.100
0.120
2.54
3.04
R
0.080
0.110
2.04
2.79
S
0.045
0.055
1.15
1.39
T
0.235
0.255
5.97
6.47
U
0.000
0.050
0.00
1.27
V
0.045
–––
1.15
–––
Z
–––
0.080
–––
2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
12 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
CASE 221A–06
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
CASE 197–05
A
N
E
C
K
D 2 PL
SEATING
PLANE
–T–
U
L
M
Q
M
0.25 (0.010)
Y M
T
–Y–
H
G
B
–Q–
2
1
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.510
1.550
38.35
39.37
B
0.980
1.050
24.89
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.057
0.063
1.45
1.60
E
0.060
0.135
1.52
3.43
G
0.420
0.440
10.67
11.18
H
0.205
0.225
5.21
5.72
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.655
0.675
16.64
17.15
N
0.760
0.830
19.30
21.08
Q
0.151
0.175
3.84
4.19
U
1.177
1.197
29.90
30.40
(TO220–AB)
(TO–204AA)
(TO–204AE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6667DW 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668BV 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667BV 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667BU 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6671.MOD 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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參數(shù)描述
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
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