參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6667AJ
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 17/61頁(yè)
文件大小： 376K
代理商： 2N6667AJ
Outline Dimensions and Leadform Options
5–2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO–204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.550 REF
39.37 REF
B
–––
1.050
–––
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.038
0.043
0.97
1.09
E
0.055
0.070
1.40
1.77
G
0.430 BSC
10.92 BSC
H
0.215 BSC
5.46 BSC
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.665 BSC
16.89 BSC
N
–––
0.830
–––
21.08
Q
0.151
0.165
3.84
4.19
U
1.187 BSC
30.15 BSC
V
0.131
0.188
3.33
4.77
CASE 1–07
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005)
Y M
T
M
Y
M
0.13 (0.005)
T
–Q–
–Y–
2
1
U
L
G
B
V
H
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
2.
COLLECTOR
3.
BASE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
CASE 77–08
–B–
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
U
13
2
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010)
B M
M
A
M
0.25 (0.010)
B M
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.425
0.435
10.80
11.04
B
0.295
0.305
7.50
7.74
C
0.095
0.105
2.42
2.66
D
0.020
0.026
0.51
0.66
F
0.115
0.130
2.93
3.30
G
0.094 BSC
2.39 BSC
H
0.050
0.095
1.27
2.41
J
0.015
0.025
0.39
0.63
K
0.575
0.655
14.61
16.63
M
5 TYP
Q
0.148
0.158
3.76
4.01
R
0.045
0.055
1.15
1.39
S
0.025
0.035
0.64
0.88
U
0.145
0.155
3.69
3.93
V
0.040
–––
1.02
–––
__
(TO–204AA)
(TO–225AA)
CASE 152-02
EB C
12
3
Q
G
N
F
K
D
A
C
L
B
R
H
J
NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.15 (0.006) TOTAL OF TRUE
POSITION AT CASE, AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
9.14
9.53
0.360
0.375
B
6.60
7.24
0.260
0.285
C
5.41
5.66
0.213
0.223
D
0.38
0.53
0.015
0.021
F
3.18
3.33
0.125
0.131
G
2.54 BSC
0.100 BSC
H
3.94
4.19
0.155
0.165
J
0.36
0.41
0.014
0.016
K
11.63
12.70
0.458
0.500
L
24.58
25.53
0.968
1.005
N
5.08 BSC
0.200 BSC
Q
2.39
2.69
0.094
0.106
R
1.14
1.40
0.045
0.055
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
(COLLECTOR CONNECTED TO TAB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6667DW 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6668BV 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667BV 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667BU 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6671.MOD 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6668 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6668 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6671 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 300V 8A 3PIN TO-3 - Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*