| 型號(hào): | 2N6500 |
| 廠商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 4 A, 90 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商: | 2N6500 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6467 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N3205 | 2 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N3206 | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N6422 | 2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5605 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6502 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
| 2N6504 | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N6504/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N6504_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS |
| 2N6504G | 功能描述:SCR 50V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |