| 型號: | 2N3206 |
| 廠商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類: | 功率晶體管 |
| 英文描述: | 2 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大小: | 84K |
| 代理商: | 2N3206 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6422 | 2 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5605 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6420 | 1 A, 175 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5740 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5608 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3207 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 2A 3PIN TO-59 - Bulk |
| 2N3208 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 2A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3209 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Hi-Spd Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3209CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH SPEED, PNP, SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| 2N3209DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |