參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6497BUBU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 34/61頁(yè)
文件大?。?/td> 366K
代理商： 2N6497BUBU
2N6497 2N6498
3–139
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
100
Figure 7. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
50
30
20
1.4
Figure 8. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.6
0.4
0.2
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
4.0
Figure 9. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0
0.01
0.05
0.1
0.2
1.0
10
3.2
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
70
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(A
)
I C
– 0.2
– 0.1
REVERSE
FORWARD
TJ = 25°C
IC = 1.0 A
2.0 A
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
+ 4.0
Figure 10. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
+ 3.0
+ 1.0
0
– 3.0
θVB for VBE
*
θVC for VCE(sat)
*APPLIES FOR IC/IB v
hFE @VCE + 10 V
3
Figure 11. Collector Cutoff Region
VBE @ VCE = 10 V
1.2
0.8
0.02
0.5
2.4
1.6
0.8
+ 2.0
– 1.0
– 2.0
104
103
100
10–1
10–2
VCE = 10 V
10
7.0
0.05
0.1
0.2
0.3
1.0
0.07
0.7
0.5
2.0
3.0
5.0
3.0 A
5.0 A
2.0
5.0
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0
IC/IB = 2.5
0.05
0.1
0.2
0.3
1.0
0.07
0.7
0.5
2.0 3.0
5.0
0.05
0.1
0.2
0.3
1.0
0.07
0.7
0.5
2.0 3.0
5.0
– 55 to 25
°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
25
°C to 150°C
25
°C
100
°C
VCE = 200 V
TJ = 150°C
102
101
0
+ 0.6
+ 0.4
+ 0.2
1000
0.4
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
4.0 6.0 10
20
60
200 400
40
0.6 1.0
2.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
500
100
70
50
TJ = 25°C
Cib
Cob
Figure 12. Capacitance
700
200
300
30
20
100
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PDF描述
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2N6498BVBV 5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2N65_11 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
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