| 型號(hào): | 2N6288 | 
| 廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP | 
| 元件分類: | 功率晶體管 | 
| 英文描述: | NPN SILICON TRANSISTOR | 
| 中文描述: | 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 
| 封裝: | TO-220, 3 PIN | 
| 文件頁(yè)數(shù): | 3/4頁(yè) | 
| 文件大?。?/td> | 171K | 
| 代理商: | 2N6288 | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| 2N6292 | NPN SILICON TRANSISTOR | 
| 2N6111 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors | 
| 2N6107 | Complementary Silicon Plastic Power Transistors | 
| 2N6109 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | 
| 2N6109 | POWER TRANSISTORS(7A,40W) | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| 2N6288 LEDFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| 2N6288G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 | 
| 2N6289 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS | 
| 2N629 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT | 
| 2N6290 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |