參數(shù)資料
型號： 2N5884
廠商： 意法半導體
英文描述： Complementary Silicon High Power Transistors(補償型硅高功率晶體管)
中文描述： 互補硅大功率晶體管（補償型硅高功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2N5884
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
11.00
13.10
0.433
0.516
B
0.97
1.15
0.038
0.045
C
1.50
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D
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0.351
E
19.00
20.00
0.748
0.787
G
10.70
11.10
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0.437
N
16.50
17.20
0.649
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P
25.00
26.00
0.984
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R
4.00
4.09
0.157
0.161
U
38.50
39.30
1.515
1.547
V
30.00
30.30
1.187
1.193
E
B
R
C
D
A
P
G
N
V
U
O
P003F
TO-3 MECHANICAL DATA
2N5884 / 2N5886
3/4
相關PDF資料
PDF描述
2N5886 Complementary Silicon High Power Transistors(互補硅高功率晶體管)
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2N5961 NPN SILICON TRANSISTOR
2N5962 NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2N5885 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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