參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5884
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon High Power Transistors(補(bǔ)償型硅高功率晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅大功率晶體管（補(bǔ)償型硅高功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2N5884
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case Max
0.875
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEV
Collector Cut-off
Current (V
BE
= -1.5V)
V
CE
= rated V
CEO
V
CE
= rated V
CEO
T
c
= 150
o
C
1
10
mA
mA
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= rated V
CBO
1
mA
I
CEO
V
CE
= 40 V
2
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 200 mA
80
V
I
C
= 15 A I
B
= 1.5 A
I
C
= 25 A I
B
= 6.25 A
I
C
= 25 A I
B
= 6.25 A
1
4
V
V
2.5
V
I
C
= 10 A V
CE
= 4 V
1.5
V
I
C
= 3 A V
CE
= 4 V
I
C
= 10 A V
CE
= 4 V
I
C
= 25 A V
CE
= 4 V
I
C
= 3 A V
CE
= 4 V f = 1KHz
35
20
4
100
h
fe
Small Signal Current
Gain
Transition frequency
20
f
T
I
C
= 1 A V
CE
= 10 V f =1 MHz
I
E
= 0 V
CB
= 10 V f = 1MHz
for
NPN type
for
PNP type
4
MHz
C
CBO
Collector Base
Capacitance
500
1000
pF
pF
t
r
Rise Time
I
C
= 10 A V
CC
= 30 V
I
B1
= -I
B2
= 1A
0.7
μ
s
μ
s
μ
s
t
s
t
f
Storage Time
1
Fall Time
0.8
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
2N5884 / 2N5886
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5886 Complementary Silicon High Power Transistors(互補(bǔ)硅高功率晶體管)
2N5963 NPN SILICON TRANSISTOR
2N5961 NPN SILICON TRANSISTOR
2N5962 NPN SILICON TRANSISTOR
2N6027RL1 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5884G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 80V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885 LEADFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5886 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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