參數(shù)資料
型號： 2N5416S
廠商： SEMICOA CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 186K
代理商： 2N5416S
Type 2N5416S
Geometry TBD
Polarity PNP
Qual Level: Pending
Data Sheet No. 2N5416S
Generic Part Number:
2N5416S
REF: MIL-PRF-19500/485
Features:
General-purpose low power ampli-
fier transistor which operates over
a wide temperature range.
Housed in TO-39 case.
Also it will be available in chip
form using the TBD chip geome-
try.
The Min and Max limits shown are
Rating
Symbol
Rating
Unit
Collector-Emitter voltage
VCEO
300
V
Collector-Base Voltage
VCBO
350
V
Emitter-Base voltage
VEBO
6.0
V
Collector Current, Continuous
IC
1.0
A
Power, TA = +25
oC
PT
0.75
Watt
Power, TC = +25
oC
PT
10
Watt
Thermal Resistance
RJC
17.5
oC/W
Operating Junction Temperature
TJ
-65 to +200
oC
Storage Temperature
TSTG
-65 to +200
oC
Maximum Ratings
TC = 25
oC unless otherwise specified
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