參數(shù)資料
型號： 2N5401S
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2N5401S
1999. 12. 22
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N5401S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 2
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
: VCBO=-160V, VCEO=-150V
Low Leakage Current.
: ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA
Low Noise : NF=8dB (Max.)
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+
_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-160
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-150
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-600
mA
Base Current
IB
-100
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : * Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6
)
Type Name
Marking
Lot No.
ZE
相關PDF資料
PDF描述
2N5401 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5415LCC3-JQR-A 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N5415G4 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N5415 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N5401S_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N5401-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*