參數(shù)資料
型號(hào): 2N5401
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商: 2N5401
1997. 5. 13
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N5401
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 0
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
FEATURES
High Collector Breakdwon Voltage
: VCBO=-160V, VCEO=-150V
Low Leakage Current.
: ICBO=-50nA(Max.) @VCB=-120V
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.5V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA
Low Noise : NF=8dB (Max.)
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
TO-92
DIM
MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1
2
3
B
A
J
K
G
H
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAX
M
1.00
N
1. EMITTER
3. COLLECTOR
2. BASE
+
_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-160
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-150
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-600
mA
Base Current
IB
-100
mA
Collector Power Dissipation
(Ta=25
)
PC
625
mW
Collector Power Dissipation
(Tc=25
)
PC
1.5
W
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
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PDF描述
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