- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369032 > 2N5196 (Vishay Intertechnology,Inc.) Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5196 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 單片雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 50V的最大柵極工作電流，15pA的雙?溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | 2N5196 |
2N5196/5197/5198/5199
6
Siliconix
P-37514—Rev. C, 25-Jul-94
Typical Characteristics (Cont’d)
10
100
1 k
100 k
10 k
10
0
–12
–16
–20
–8
–4
8
6
4
2
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
–
C
i
V
DS
= 0 V
5 V
20 V
f = 1 MHz
5
0
–12
–20
–16
–8
–4
4
3
2
1
0
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
5 V
15 V
f = 1 MHz
16
12
8
4
0
20
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= 20 V
I
D
@ 200 A
V
GS
= 0 V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.01
0.1
1
Output Conductance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= –55 C
125 C
0.01
0.1
1
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
g
f
T
A
= –55 C
125 C
1 k
0
–3
–5
–4
–2
–1
800
600
400
200
0
10
8
6
4
2
0
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
r
DS
@ I
D
= 100 A, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
r
DS
g
os
25 C
25 C
V
GS(off)
= –2 V
V
DS
= 20 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –2 V
V
DS
= 20 V
f = 1 kHz
15 V
20 V
(
e
n
/
√
)
–
r
D
–
)
S
g
–
S
g
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5197 | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 2N5198 | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-15pA的雙N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 2N5202 | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
| 2N6500 | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
| 2N3878 | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5196-2 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SS T092 GP XSTR PNP 100V -LEAD FREE - Bulk |
| 2N5196-E3 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5197 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5197-E3 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2N5198 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。