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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4403RLRAG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2N4403RLRAG |
2N4403
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Small Signal Current Gain
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
fe
60
500
D
Output Admittance
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kHz
h
oe
1.0
100
m
S
Delay Time (see Fig. 1)
at DI
B1
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30V, DV
EB
= 2V
t
d
D
15
ns
Rise Time (see Fig. 1)
at DI
B1
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30V, DV
EB
= 2V
t
r
D
20
ns
Storage Time (see Fig. 2)
at I
B1
= DI
B2
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30V
t
s
D
225
ns
Fall Time (see Fig. 2)
at I
B1
= DI
B2
= 15 mA, DI
C
= 150 mA, DV
CC
= 30V,
t
f
D
30
ns
1.0 to 100
m
s Duty Cycle - 2%
0
200
W
< 20 ns
-30V
+14 V
-16 V
+4 V
1.0 to 100
m
s Duty Cycle - 2%
0
C < 10 pF
200
W
< 2 ns
-30V
+2 V
-16 V
+4 V
1k
W
1k
W
Scope rise time - 4ns
*Total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
C *
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
FIGURE 1 - TURN-ON TIME
FIGURE 2 - TURN-OFF TIME
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4403RLRM | General Purpose Transistors |
| 2N4403RLRP | General Purpose Transistors |
| 2N4403RLRPG | General Purpose Transistors |
| 2N4403ZL1 | General Purpose Transistors |
| 2N4403 | PNP General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N4403RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4403RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4403RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4403RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4403RM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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