參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4403RLRAG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose Transistors
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2N4403RLRAG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
.MAX.
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
at DI
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
DV
(BR)CBO
40
D
Volts
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(1)
at DI
C
= 1 mA, I
B
= 0
DV
(BR)CEO
40
D
Volts
Emitter-Base Breakdown Voltage
at DI
E
= 0.1 mA, I
C
= 0
DV
(BR)EBO
5.0
D
Volts
Collector-Emitter Saturation Voltage
(1)
at DI
C
= 150 mA, DI
B
= 15 mA
at DI
C
= 500 mA, DI
B
= 50 mA
DV
CEsat
DV
CEsat
D
D
0.40
0.75
Volts
Volts
Base-Emitter Saturation Voltage
(1)
at DI
C
= 150 mA, DI
B
= 15 mA
at DI
C
= 500 mA, DI
B
= 50 mA
DV
BEsat
DV
BEsat
0.75
D
0.95
1.30
Volts
Volts
Collector Cutoff Current
at DV
EB
= 0.4 V, DV
CE
= 35 V
DI
CEX
D
100
nA
Base Cutoff Current
at DV
EB
= 0.4 V, DV
CE
= 35 V
DI
BEV
D
100
nA
DC Current Gain
at DV
CE
= 1 V, DI
C
= 0.1 mA
at DV
CE
= 1 V, DI
C
= 1 mA
at DV
CE
= 1 V, DI
C
= 10 mA
at DV
CE
= 2 V, DI
C
= 150 mA
(1)
at DV
CE
= 2 V, DI
C
= 500 mA
(1)
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
30
60
100
100
20
D
D
D
D
D
D
D
D
300
D
Input Impedance
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kH
Z
h
ie
1.5
15
k
W
Voltage Feedback Ratio
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 1 mA, f = 1 kH
Z
h
re
0.1 á 10
D4
8 á 10
D4
D
Current Gain-Bandwidth Product
at DV
CE
= 10 V, DI
C
= 20 mA, f = 100 MH
Z
f
T
200
D
MHz
Collector-Base Capacitance
at DV
CB
= 10 V, I
E
=0, f = 1.0 MH
Z
C
CB
D
8.5
pF
Emitter-Base Capacitance
at DV
EB
= 0.5 V, I
C
=0, f = 1.0 MH
Z
C
EB
D
30
pF
NOTES
(1) Pulse test: Pulse width 2 300
m
s - Duty cycle 2 2%
2N4403
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4403RLRM General Purpose Transistors
2N4403RLRP General Purpose Transistors
2N4403RLRPG General Purpose Transistors
2N4403ZL1 General Purpose Transistors
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參數(shù)描述
2N4403RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4403RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4403RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4403RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4403RM 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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