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參數資料
| 型號： | 28F160C3 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導塊閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8M X 8 FLASH 3V PROM |
| 文件頁數： | 52/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | 28F160C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3
E
52
PRELIMINARY
C.6
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
Table 7. Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
See table below
27:
28:
--01
27h
28h
1
2
“n” such that device size = 2
Flash device interface:
x8 async x16 async x8/x16 async
28:00,29:00 28:01,29:00 28:02,29:00
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
in number of bytes
x16
29:
2A:
2B:
2C:
--00
--00
--00
--02
2Ah
2
n
0
2Ch
1
Number of erase block regions within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in
“bulk”
2. x specifies the number of device or partition regions
with one or more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking
region
4. Partition size = (total blocks) x (individual block size)
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
Device Geometry Definition
Address
8 Mbit
16 Mbit
32 Mbit
–B
--14
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--0E
--00
--00
--01
–T
--14
--01
--00
--00
--00
--02
--0E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--1E
--00
--00
--01
–T
--15
--01
--00
--00
--00
--02
--1E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
–B
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--07
--00
--20
--00
--3E
--00
--00
--01
–T
--16
--01
--00
--00
--00
--02
--3E
--00
--00
--01
--07
--00
--20
--00
27:
28:
29:
2A:
2B:
2C:
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
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