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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1T369 |
| 元件分類(lèi)： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | 43.4 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封裝： | M-235, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 1T369 |
—2—
1T369
Diode capacitance vs. Ambient temperature
Ta-Ambient temperature (
°C)
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
–20
0
20
40
60
80
Diode capacitance vs. Reverse voltage
C
-D
io
d
e
c
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
VR-Reverse voltage (V)
100
10
1
10
100
Ta=25
°C
f=1MHz
VR=2V
VR=25V
VR=7V
VR=15V
f=1MHz
D
io
d
e
c
a
p
a
c
it
a
n
c
e
C
(T
a
)
C
(2
5
°C
)
Reverse breakdown voltage vs. Ambient temperature
Ta-Ambient temperature (
°C)
50
45
40
35
30
25
–20
0
20
40
60
80
Temperature coefficient of diode capacitance
T
e
m
p
e
ra
tu
re
c
o
e
ff
ic
ie
n
t
(p
p
m
/°
C
)
VR-Reverse voltage (V)
1000
100
200
500
50
1
10
50
100
f=1MHz
IR=10
A
V
R
-R
e
v
e
rs
e
v
o
lt
a
g
e
(V
)
Example of Representative Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1T399 | 29.5 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T403 | VHF BAND, 34.61 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T405A | VHF BAND, 32.96 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T417 | 8.6 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1U4 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1T378A | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:Silicon Variable Capacitance Diode |
| 1T379 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:Silicon Variable Capacitance Diode for Electronic Tuning of BS and CS Tuners |
| 1T387 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:Variable Capacitance Diode |
| 1T397 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:Variable Capacitance Diode |
| 1T399 | 制造商:SONY 制造商全稱(chēng):Sony Corporation 功能描述:Variable Capacitance Diode |
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