參數(shù)資料
型號: 1PMT40AT3G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package
中文描述: 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA
封裝: LEAD FREE, CASE 457, PLASTIC PACKAGE, POWERMITE, 2 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 72K
代理商: 1PMT40AT3G
1PMT5.0AT1/T3 Series
http://onsemi.com
5
Figure 5. Typical Derating Factor for Duty Cycle
D
1 ms
10 s
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.05
0.1
0.07
0.01
0.02
0.03
100 s
0.1 0.2
0.5
2
5
10
50
1
20
100
D, DUTY CYCLE (%)
PULSE WIDTH
10 ms
Figure 6. Steady State Power Derating
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
55
25
85
150
T, TEMPERATURE (
°
C)
V
F
Figure 7. Forward Voltage
25
50
75
100
125
175
3.5
2.5
2
1.5
1
0
T, TEMPERATURE (
°
C)
P
D
0.5
T
L
150
3
10,000
1000
100
10
1
10
100
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
Figure 8. Capacitance versus Working Peak
Reverse Voltage
MEASURED @ 50% V
RWM
MEASURED @ ZERO BIAS
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PDF描述
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參數(shù)描述
1PMT4100 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes
1PMT4100/TR13 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000
1PMT4100/TR7 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:3,000
1PMT4100C 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes
1PMT4100C/TR13 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216 標準包裝:12,000