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參數(shù)資料
| 型號： | 1PMT40AT3G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 中文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 457, PLASTIC PACKAGE, POWERMITE, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 1PMT40AT3G |
1PMT5.0AT1/T3 Series
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum P
pk
Dissipation, (PW10/1000 s) (Note 1) (1PMT5.0A 1PMT36A)
P
pk
200
W
Maximum P
pk
Dissipation, (PW10/1000 s) (Note 1) (1PMT40A 1PMT58A)
P
pk
175
W
Maximum P
pk
Dissipation, (PW8/20 s) (Note 1)
DC Power Dissipation @ T
A
= 25
°
C (Note 2)
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
P
pk
1000
W
°
P
D
°
R
JA
500
4.0
248
°
mW
mW/
°
C
°
C/W
Thermal Resistance, JunctiontoLead (Anode)
R
Janode
°
P
D
°
R
Jcathode
35
°
C/W
Maximum DC Power Dissipation (Note 3)
Thermal Resistance, JunctiontoTab (Cathode)
3.2
23
W
°
C/W
Operating and Storage Temperature Range
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
1. Nonrepetitive current pulse at T
A
= 25
°
C.
2. Mounted with recommended minimum pad size, DC board FR4.
3. At Tab (Cathode) temperature, T
tab
= 75
°
C
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless
otherwise noted, V
F
= 3.5 V Max. @ I
F
(Note 4) = 35 A)
Symbol
Parameter
I
PP
Maximum Reverse Peak Pulse Current
V
C
Clamping Voltage @ I
PP
V
RWM
Working Peak Reverse Voltage
I
R
Maximum Reverse Leakage Current @ V
RWM
V
BR
Breakdown Voltage @ I
T
I
T
Test Current
I
F
Forward Current
V
F
Forward Voltage @ I
F
UniDirectional TVS
I
PP
I
F
V
I
I
R
I
T
V
RWM
V
C
V
BR
V
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1PMT48AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT5.0AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT51AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT51AT3G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
| 1PMT58AT1G | Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1PMT4100 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes |
| 1PMT4100/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
| 1PMT4100/TR7 | 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1PMT4100C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Powermite LOW NOISE 1 WATT Zener Diodes |
| 1PMT4100C/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:7.5V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-216AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-216 標(biāo)準(zhǔn)包裝:12,000 |
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