參數(shù)資料
型號： 1N829
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： TRANSF .650 OHM DUAL GATE DRIVE
中文描述： 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： 1N829
1996 Mar 20
4
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage reference diodes
1N821 to 1N829
1N821A to 1N829A
GRAPHICAL DATA
Fig.2
Working current as a function of the
maximum reference voltage excursion.
Referenced to IZ = 7.5 mA.
(1) Tj = 100 °C.
(2) Tj =25 °C.
(3) Tj = 55 °C.
handbook, halfpage
-75
10
7.5
5
2.5
-50
50
Vref(max) (mV)
MBG534
-25
0
IZ
(mA)
25
(1)
(3)
(2)
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Temperature coefficient change as a
function of working current; typical values.
handbook, halfpage
4
0.002
0.003
0.002
MBG536
0.001
0
0.001
56
7
8
9
11
10
IZ (mA)
S
Z
(%/K)
Fig.4
Differential resistance as a function of
working current; typical values.
handbook, halfpage
102
MBG535
10
IZ (mA)
rdif
(
)
1
102
103
10
(1)
(2)
(3)
(1) Tj = 100 °C.
(2) Tj =25 °C.
(3) Tj = 55 °C.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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