參數(shù)資料
型號： 1N6119AUS
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： MELF-2
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 0K
代理商： 1N6119AUS
221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681 Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 5074, REV. –
Transient Voltage Suppressor Diode, 500W
Hermetic, non-cavity glass package
Metallurgically bonded
Operating and Storage Temperature: -55oC to +175oC
SJ
SX
SV
SERIES
TYPE
MIN
BREAKDOWN
VOLTAGE
V(BR) @ I(BR)
WORKING
PEAK REVERSE
VOLTAGE
VRWM
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR1
MAX. CLAMP.
VOLTAGE
VC @ IP
tp = 1ms
MAX. PEAK
PULSE
CURRENT
IP
MAX. TEMP.
COEFFICIENT
V(BR)
500W
Vdc
mA dc
Vdc
Adc
V(pk)
A(pk)
% /
°C
1N6102A/US
6.12
175
5.2
500
10.5
142.8
.05
1N6103A/US
7.13
175
5.7
300
11.2
133.9
.06
1N6104A/US
7.79
150
6.2
100
12.1
124.0
.06
1N6105A/US
8.65
150
6.9
100
13.4
111.9
.06
1N6106A/US
9.50
125
7.6
100
14.5
103.4
.07
1N6107A/US
10.45
125
8.4
20
15.6
96.2
.07
1N6108A/US
11.40
100
9.1
20
16.9
88.8
.07
1N6109A/US
12.35
100
9.9
20
18.2
82.4
.08
1N6110A/US
14.25
75
11.4
20
21.0
71.4
.08
1N6111A/US
15.20
75
12.2
20
22.3
67.3
.08
1N6112A/US
17.10
65
13.7
10
25.1
59.8
.085
1N6113A/US
19.00
65
15.2
5.0
27.7
54.2
.085
1N6114A/US
20.9
50
16.7
5.0
30.5
49.2
.085
1N6115A/US
22.8
50
18.2
5.0
33.3
45.0
.09
1N6116A/US
25.7
50
20.6
5.0
37.4
40.1
.09
1N6117A/US
28.5
40
22.8
5.0
41.6
36.0
.09
1N6118A/US
31.4
40
25.1
5.0
45.7
32.8
.095
1N6119A/US
34.2
30
27.4
5.0
49.9
30.1
.095
1N6120A/US
37.1
30
29.7
5.0
53.6
28.0
.095
1N6121A/US
40.9
30
32.7
5.0
59.1
25.4
.095
1N6122A/US
44.7
25
35.8
5.0
64.6
23.2
.095
1N6123A/US
48.5
25
38.8
5.0
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21.4
.095
1N6124A/US
53.2
20
42.6
5.0
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19.5
.095
1N6125A/US
58.9
20
47.1
5.0
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17.6
.100
1N6126A/US
64.6
20
51.7
5.0
97.1
15.4
.100
1N6127A/US
71.3
20
56.0
5.0
103.1
14.5
.100
1N6128A/US
77.9
15
62.2
5.0
112.8
13.3
.100
1N6129A/US
86.5
15
69.2
5.0
125.1
12.0
.100
1N6130A/US
95.0
12
76.0
5.0
137.6
10.9
.100
1N6131A/US
104.5
12
83.6
5.0
151.3
9.9
.100
1N6132A/US
114.0
10
91.2
5.0
165.1
9.1
.100
1N6133A/US
123.5
10
98.8
5.0
178.8
8.4
.105
1N6134A/US
142.5
8.0
114.0
5.0
206.3
7.3
.105
1N6135A/US
152
8.0
121.6
5.0
218.4
6.9
.105
1N6136A/US
171
5.0
136.8
5.0
245.7
6.1
.110
1N6137A/US
190
5.0
152.0
5.0
273.0
5.5
.110
1N6102A/US thru 1N6137A/US
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N6129AUS 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6130AUS 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6131AUS 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6137AUS 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N5140 10 pF, 65 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N6119AUS/TR 功能描述:BI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:27.4V 電壓 - 擊穿（最小值）:34.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:49.9V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:10A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
1N6119US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
1N6120 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
1N6120A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 29.7V 500W 2PIN E-LINE - Bulk
1N6120AUS 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR E_SQ._MELF SD - Bulk
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