- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366161 > 1N5822G (ON SEMICONDUCTOR) Axial Lead Rectifiers PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 1N5822G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Axial Lead Rectifiers |
| 中文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 267-05, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 1N5822G |
1N5820, 1N5821, 1N5822
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
1N5820
1N5821
1N5822
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
RRM
V
RWM
V
R
20
30
40
V
NonRepetitive Peak Reverse Voltage
V
RSM
24
36
48
V
RMS Reverse Voltage
V
R(RMS)
14
21
28
V
Average Rectified Forward Current (Note 1)
V
R(equiv)
0.2 V
R(dc)
, T
L
= 95
°
C
(R
JA
= 28
°
C/W, P.C. Board Mounting, see Note 5)
I
O
3.0
A
Ambient Temperature
Rated V
R(dc)
, P
F(AV)
= 0
R
JA
= 28
°
C/W
T
A
90
85
80
°
C
NonRepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions, half wave, single phase
60 Hz, T
L
= 75
°
C)
I
FSM
80 (for one cycle)
A
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Reverse Voltage applied)
T
J
, T
stg
65 to +125
°
C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
*THERMAL CHARACTERISTICS
(Note 5)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
28
°
C/W
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
L
= 25
°
C unless otherwise noted) (Note 1)
Characteristic
Symbol
1N5820
1N5821
1N5822
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(i
F
= 1.0 Amp)
(i
F
= 3.0 Amp)
(i
F
= 9.4 Amp)
V
F
0.370
0.475
0.850
0.380
0.500
0.900
0.390
0.525
0.950
V
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ Rated dc Voltage (Note 2)
T
L
= 25
°
C
T
L
= 100
°
C
1. Lead Temperature reference is cathode lead 1/32
″
from case.
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.
*Indicates JEDEC Registered Data for 1N582022.
i
R
2.0
20
2.0
20
2.0
20
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5822RLG | Axial Lead Rectifiers |
| 1N5920B | Zener Voltage Regulator Diode(6.2V齊納電壓，齊納穩(wěn)壓二極管) |
| 1N5914B | Zener Voltage Regulator Diode(3.6V齊納電壓，齊納穩(wěn)壓二極管) |
| 1N5917B | Zener Voltage Regulator Diode(4.7V齊納電壓，齊納穩(wěn)壓二極管) |
| 1N5919B | Zener Voltage Regulator Diode(5.6V齊納電壓，齊納穩(wěn)壓二極管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5822-G | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifier |
| 1N5822G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| 1N5822H | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| 1N5822HA0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 |
| 1N5822HB0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:200pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標準包裝:500 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。