參數(shù)資料
型號： 1N5819RL
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： 1N5819RL
1N581x
4/5
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
1N5817
1N5818
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-1: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5817/1N5818).
0
5
10
15
20
30
35
40
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
IR(mA)
VR(V)
Tj=100°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Fig. 8-2: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values) (1N5819).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-1: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5817/1N5818).
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
0.01
0.10
1.00
10.00
IFM(A)
VFM(V)
Tj=25°C
Tj=100°C
Tj=125°C
Fig. 9-2: Forward voltage drop versus forward
current (typical values) (1N5819).
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
IFSM(A)
Number of cycles
F=50Hz
Tj initial=25°C
Fig. 10: Non repetitive surge peak forward current
versus number of cycles.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5818 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5818 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5818 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5819-1S 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N5819-1V 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5819RLG 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 40V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
1N5819RLG-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:1N5819 Series 40 V 1 A Schottky Rectifier Diode - DO-201AD
1N5819S 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5819SF 制造商:GXELECTRONICS 制造商全稱:Gaomi Xinghe Electronics Co., Ltd. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage 20 to 40 Volts Forward Current - 1.0Ampere
1N5819SX 制造商:Microwave Semiconductor 功能描述:
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