參數(shù)資料
型號: 1N5819HRV
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 56K
代理商: 1N5819HRV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5819R 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N5819 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5819 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5820 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5821ID 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5819HW 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5819HW_1 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5819HW_10 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5819HW1-7-F 功能描述:DIODE RECT SB 40V 1A SOD123F 制造商:diodes incorporated 系列:SBR? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:超級勢壘 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):510mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):15ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:30pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123F 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
1N5819HW7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: