參數(shù)資料
型號(hào): 1N5820
廠商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 整流器
英文描述: 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商: 1N5820
NOTES : 1.Thermal Resistance Junction to Lead.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
1N5820 thru 1N5822
FEATURES
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
wheeling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-201AD molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.04 ounces, 1.1 grams
Mounting position : Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Average Forward Rectified Current
.375",(9.5mm) Lead Lengths
@TL
=95 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
3.0
80
0.475
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +125
C
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
C
Typical Thermal Resistance (Note 1)
R0JL
10
C/W
IR
@TJ =100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =25 C
2
20
mA
V
A
V
UNIT
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
30
21
30
1N5820
20
14
20
40
28
40
CJ
Typical Junction
Capacitance (Note 2)
250
pF
Maximum forward Voltage at 9.4A DC
VF
0.525
0.950
0.500
0.900
0.850
V
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 20 to 40 Volts
FORWARD CURRENT - 3.0 Amperes
All Dimensions in millimeter
Max.
Min.
DO-201AD
Dim.
A
D
C
B
25.4
9.50
-
7.30
1.20
4.80
5.30
1.30
DO-201AD
A
C
D
A
B
1N5821
1N5822
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 4, Oct-2010, KDHF01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5821ID 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N5821 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N5821 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5822 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5822 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5820 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N5820 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:200pF @ 4V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
1N5820 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:200pF @ 4V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500
1N5820 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 20V 3A 2-Pin DO-201AD T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 20V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
1N5820 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):20V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:475mV @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500μA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:200pF @ 4V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250