參數(shù)資料
型號： 1N5818
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： Schottky barrier diodes
中文描述： 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 1N5818
1996 May 03
7
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
Fig.6
1N5817. Maximum permissible junction
temperature as a function of reverse voltage;
Rth j-a = 100 K/W.
handbook, halfpage
020
200
150
50
0
100
MBG434
10
VR (V)
Tj
(oC)
VRWM
δ = 0.2
VR
VRWM
δ = 0.5
Fig.7
1N5817. Reverse power dissipation as a
function of reverse voltage (max. values);
Rth j-a = 100 K/W.
handbook, halfpage
020
0.20
0.15
0.05
0
0.10
MBG435
10
VR (V)
PR
(W)
VRWM
δ = 0.2
VR
VRWM
δ = 0.5
Fig.8
1N5818. Maximum permissible junction
temperature as a function of reverse voltage;
Rth j-a = 100 K/W.
handbook, halfpage
010
20
30
200
150
50
0
100
MBG432
VR (V)
Tj
(oC)
VRWM
δ = 0.2
VR
VRWM
δ = 0.5
Fig.9
1N5818. Reverse power dissipation as a
function of reverse voltage (max. values);
Rth j-a = 100 K/W.
handbook, halfpage
0
0.20
0.15
0.05
0
0.10
MBG437
20
30
10
VR (V)
PR
(W)
VRWM
δ = 0.2
VR
VRWM
δ = 0.5
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