參數(shù)資料
型號(hào)： 1N5818
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： Schottky barrier diodes
中文描述： 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 37K
代理商： 1N5818
1996 May 03
3
Philips Semiconductors
Product specication
Schottky barrier diodes
1N5817; 1N5818; 1N5819
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Notes
1. Refer to SOD81 standard mounting conditions.
2. For Schottky barrier diodes thermal run-away has to be considered, as in some applications, the reverse power
losses PR are a significant part of the total power losses. Nomograms for determination of the reverse power losses
PR and IF(AV) rating will be available on request.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VR
continuous reverse voltage
1N5817
20
V
1N5818
30
V
1N5819
40
V
VRSM
non-repetitive peak reverse voltage
1N5817
24
V
1N5818
36
V
1N5819
48
V
VRRM
repetitive peak reverse voltage
1N5817
20
V
1N5818
30
V
1N5819
40
V
VRWM
crest working reverse voltage
1N5817
20
V
1N5818
30
V
1N5819
40
V
IF(AV)
average forward current
Tamb =55 °C; Rth j-a = 100 K/W;
note 1; VR(equiv) = 0.2 V; note 2
1A
IFSM
non-repetitive peak forward current
t = 8.3 ms half sine wave;
JEDEC method;
Tj =Tj max prior to surge: VR =0
25
A
Tstg
storage temperature
65
+175
°C
Tj
junction temperature
125
°C
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PDF描述
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