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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5636AB |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | 1N5636AB |
Silicon Avalanche Diodes
315
www .littelfuse .com
6
SILICON
DIODE
ARRA
YS
1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N5629*
1N5629A*
1N5630
1N5630A
1N5631
1N5631A
1N5632
1N5632A
1N5633
1N5633A
1N5634
1N5634A
1N5635
1N5635A
1N5636
1N5636A
1N5637*
1N5637A*
1N5638*
1N5638A*
1N5639*
1N5639A*
1N5640
1N5640A
1N5641
1N5641A
1N5642
1N5642A
1N5643*
1N5643A*
1N5644*
1N5644A
1N5645
1N5645A
1N5646*
1N5646A*
Part
Number
Reverse
Stand Off
Voltage
VR
(Volts)
5.50
5.80
6.05
6.40
6.63
7.02
7.37
7.78
8.10
8.55
8.92
9.40
9.72
10.20
10.50
11.10
12.10
12.80
12.90
13.60
14.50
15.30
16.20
17.10
17.80
18.80
19.40
20.50
21.80
23.10
24.30
25.60
26.80
28.20
29.10
30.80
Breakdown
Voltage
VBR (Volts) @ IT
MIN
6.12
6.45
6.75
7.13
7.38
7.79
8.19
8.65
9.00
9.50
9.90
10.50
10.80
11.40
11.70
12.40
13.50
14.30
14.40
15.20
16.20
17.10
18.00
19.00
19.80
20.90
21.60
22.80
24.30
25.70
27.00
28.50
29.70
31.40
32.40
34.20
MAX
7.48
7.14
8.25
7.88
9.02
8.61
10.00
9.55
11.00
10.50
12.10
11.60
13.20
12.60
14.30
13.70
16.50
15.80
17.60
16.80
19.80
18.90
22.00
21.00
24.20
23.10
26.40
25.20
29.70
28.40
33.00
31.50
36.30
34.70
39.60
37.80
(mA)
10
1.0
Maximum
Reverse
Leakage
IR @ VR
(A)
1000.0
500.0
200.0
50.0
10.0
5.0
Maximum
Clamping
Voltage
VC @ IPP
(Volts)
10.8
10.5
11.7
11.3
12.5
12.1
13.8
13.4
15.0
14.5
16.2
15.6
17.3
16.7
19.0
18.2
22.0
21.2
23.5
22.5
26.5
25.2
29.1
27.7
31.9
30.6
34.7
33.2
39.1
37.5
43.5
41.4
47.7
45.7
52.0
49.9
Maximum
Peak Pulse
Current
IPP
(A)
139.0
143.0
128.0
132.0
120.0
124.0
109.0
100.0
103.0
93.0
96.0
87.0
90.0
79.0
82.0
68.0
71.0
64.0
67.0
56.5
59.5
51.5
54.0
47.0
49.0
43.0
45.0
38.5
40.0
34.5
36.0
31.5
33.0
29.0
30.0
Suffix ‘A’ denotes 5% tolerance device, no suffix denotes a 10% tolerance device.
1N5629 to 1N5647A VF max = 3.5V at IF = 50A 300 S square wave pulse.
1N5648 to 1N5665A VF max = 5.0V at IF = 50A 300 S square wave pulse.
* Preferred voltages.
Max
Voltage
Temperature
Variation
of VBR (mV/°C)
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
12.0
16.0
14.0
17.0
19.0
20.0
19.0
21.0
20.0
25.0
23.0
28.0
25.0
31.0
28.0
31.0
30.0
35.0
31.0
1N56 Series
ELECTRICAL SPECIFICATION @ Tamb 25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5637AB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5638AB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5639AB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5639B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
| 1N5642AB | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5637 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL UNI-DIR 12.1V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk |
| 1N5637A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Microsemi 1N5637A TVS |
| 1N5637A/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AE3 | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
| 1N5637AE3/TR | 功能描述:UNI-DIRECTIONAL TVS 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:12.8V 電壓 - 擊穿（最小值）:14.3V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:21.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:100 |
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