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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4755AB |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 43 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | 1N4755AB |
PAGE . 4
March 18,2011-REV.06
1N4736A~1N4757A
FIGURE.6 EFFECT OF ZENER CURRENT ON ZENER IMPEDANCE
FIGURE.7 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
FIGURE.5 MZXIMUM SURGE POWER
FIGURE.4 EFFECT OF ZENER CURRENT
FIGURE.3TYPICAL THERMAL RESISTANCE versus LEAD LENGTH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4755AT/B | 43 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4756AB | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4756A | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4740A-G | 10 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1N4743A-G | 13 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4755A-B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 1.0W 43V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N4755AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 43V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 43V 5% DO41 |
| 1N4755A-G _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4755A-G_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4755AHA0G | 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
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