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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N4448S |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 1N4448S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4150T26A | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4150T26R | 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4150 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4151S | 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4151-T | 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4448T | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448-T | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Vr/75V If/500mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SW TAPE AXIAL |
| 1N4448T-72 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) SWITCH 150MA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448T-77 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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