參數(shù)資料
型號(hào): 1N4150T26A
廠商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述: 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
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代理商: 1N4150T26A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4150T26R 0.2 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4150 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4151S 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4151-T 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4154-T 0.15 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4150T-72 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) SWITCH 200MA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4150T-77 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4150TAP 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) Vr/50V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4150-TAP 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE SMALL SIGNAL 0.15A 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, SMALL SIGNAL, 0.15A 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE, 50V, 150mA, DO-35; Diode Type:Small Signal; Forward Current If(AV):150mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:50V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:4ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4A ;RoHS Compliant: Yes
1N4150-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R 制造商:Micro Commercial Components 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 T/R