參數(shù)資料
型號(hào)： 150GT120DN2
英文描述： Ultra-Low-Power Voltage Detectors and µP Supervisory Circuits
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： 150GT120DN2
3
Nov-24-1997
BSM 150 GT 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
RGon = 5.6
td(on)
-
200
400
ns
Rise time
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 150 A
RGon = 5.6
tr
-
100
200
Turn-off delay time
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
RGoff = 5.6
td(off)
-
600
900
Fall time
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 150 A
RGoff = 5.6
tf
-
70
100
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
IF = 150 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
VF
-
1.8
2.3
-
2.8
V
Reverse recovery time
IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1500 A/s, Tj = 125 °C
trr
-
0.4
-
s
Reverse recovery charge
IF = 150 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -1500 A/s
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
Qrr
-
22
8
-
C
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PDF描述
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