參數(shù)資料
型號(hào): 11DQ04TR
元件分類(lèi): 整流器
英文描述: 1.1 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
文件大小: 85K
代理商: 11DQ04TR
11DQ03, 11DQ04
Bulletin PD-2.287 rev. F 11/04
4
www.irf.com
10
100
1000
10
100
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With Rated V
Applied
Following Surge
RRM
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
DC
RMS Limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0
30
60
90
120
150
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
DC
see note (2)
Square wave (D = 0.50)
80% Rated V applied
R
Average Forward Current - IF
(AV) (A)
Square Wave Pulse Duration - t
p (microsec)
Fig. 6 - Max. Non-Repetitive Surge Current
Allowable
Case
Temperature
-
(°C)
Non-Repetitive
Surge
Current
-I
FSM
(A)
Fig. 5- Forward Power Loss
Characteristics
Average Forward Current - IF
(AV) (A)
Average
Power
Loss
-(Watts)
(2) Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1 = 80% rated VR
Fig. 4 - Max. Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
11DQ06TR 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
11DQ09TA2B2 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE
11DQ10TA2B2 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
11E1TA1B2 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
11EFS1 0.8 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
11DQ05 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 1.1A DO-41 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879
11DQ05_12 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A
11DQ05-M3 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A
11DQ05PBF 制造商:Vishay 功能描述:Bulk
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