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參數(shù)資料
| 型號： | 11DQ04TR |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 1.1 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 11DQ04TR |
11DQ03, 11DQ04
Bulletin PD-2.287 rev. F 11/04
2
www.irf.com
TJ
Max. Junction Temperature Range (*) -40 to 150
°C
Tstg Max. Storage Temperature Range
-40 to 150
°C
R
thJA Max. Thermal Resistance Junction
100
°C/W DC operation
to Ambient
Without cooling fin
R
thJL Typical Thermal Resistance Junction
81
°C/W DC Operation (* See Fig. 4)
to Lead
wt
Approximate Weight
0.33(0.012) g (oz.)
Case Style
DO-204AL(DO-41)
Part number
11DQ03
11DQ04
VR
Max. DC Reverse Voltage (V)
VRWM Max. Working Peak Reverse Voltage (V)
Voltage Ratings
30
40
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
0.55
V
@ 1A
* See Fig. 1
(1)
0.71
V
@ 2A
0.50
V
@ 1A
0.61
V
@ 2A
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
1.0
mA
T
J =
25 °C
* See Fig. 2
(1)
6.0
mA
T
J = 125 °C
C
T
Typical Junction Capacitance
60
pF
V
R = 5VDC (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
L
S
Typical Series Inductance
8.0
nH
Measured lead to lead 5mm from package body
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
10000
V/s (Rated V
R)
T
J =
25 °C
T
J = 125 °C
V
R = rated VR
Parameters
11DQ.. Units
Conditions
Electrical Specifications
(1) Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications
Parameters
11DQ.. Units
Conditions
I
F(AV) Max. Average Forward Current
1.1
A
50% duty cycle @ T
C = 75°C, rectangular wave form
* See Fig. 4
I
FSM
Max.PeakOneCycleNon-Repetitive
225
5s Sine or 3s Rect. pulse
Surge Current * See Fig. 6
35
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
EAS Non-Repetitive Avalanche Energy
3.0
mJ
TJ = 25 °C, IAS = 1.0 Amps, L = 6 mH
I
AR
Repetitive Avalanche Current
1.0
A
Current decaying linearly to zero in 1 sec
Frequency limited by T
J max. VA = 1.5 x VR typical
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM applied
A
Parameters
11DQ..
Units
Conditions
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(*) dPtot
1
dTj
Rth( j-a)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 11DQ06TR | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11DQ09TA2B2 | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11DQ10TA2B2 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11E1TA1B2 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11EFS1 | 0.8 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 11DQ05 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 1.1A DO-41 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 11DQ05_12 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A |
| 11DQ05-M3 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.1 A |
| 11DQ05PBF | 制造商:Vishay 功能描述:Bulk |
| 11DQ05TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 1.1A DO-41 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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