參數(shù)資料
型號(hào): 10ETF04STRR
元件分類: 整流器
英文描述: 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 132K
代理商: 10ETF04STRR
5
10ETF..S QUIET
IR Series
I2140 rev. A 12/99
www.irf.com
Fig. 14 - Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
Fig. 12 - Recovery Current Characteristics, T
J
= 25°C
Fig.13-RecoveryCurrentCharacteristics,T
J
=150°C
Fig. 10 - Recovery Charge Characteristics, T
J
= 25°C
Fig.11-RecoveryChargeCharacteristics,T
J
=150°C
0
3
6
9
12
15
0
4 0
8 0
1 20
160
200
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C u rre n t - di/ d t ( A / s)
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
u
rr
e
n
t-
Irr
(A
)
I
= 2 0 A
FM
2 A
10 A
5 A
1 A
1 0 ETF..S Series
T = 25 °C
J
0
4
8
12
16
20
0
40
80
1 20
160
200
Ra te O f Fall Of Forwa rd C urren t - di/dt (A/s)
M
a
x
im
u
m
R
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ve
rse
R
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c
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C
u
rre
n
t-
Ir
r
(A
)
I
= 2 0 A
FM
10 A
1 A
5 A
2 A
1 0E TF..S Ser ies
T = 150 °C
J
0
0. 2
0. 4
0. 6
0. 8
1
1. 2
1. 4
0
4 0
8 0
1 2 0
16 0
200
10 A
R a t e O f Fa ll O f Fo rw ard C u rre n t - di/d t ( A / s)
5 A
1 A
M
a
xi
m
u
m
R
e
v
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rs
e
R
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c
o
v
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ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
I
= 2 0 A
FM
2 A
1 0 ETF..S Series
T = 25 °C
J
0
0. 5
1
1. 5
2
2. 5
0
4 0
8 0
120
16 0
200
10 A
R a t e O f Fa ll O f Fo rw ard C u rre n t - di/d t (A / s)
5 A
1 A
M
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Q
rr
(
C
)
I
= 2 0 A
FM
2 A
10 E TF . .S Se rie s
T = 150 ° C
J
0.00 1
0.01
0.1
1
10
0.00 1
0.01
0.1
1
10
Square W ave Pulse Duration (s)
th
J
C
Sin gle P ulse
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.17
D = 0.08
Ste ad y Sta te V a lu e
(DC O p era tion )
Tr
a
n
si
e
n
tT
h
e
rm
a
lI
m
p
e
d
a
n
c
e
Z
(
°C/
W
)
1 0 ETF..S Ser ies
相關(guān)PDF資料
PDF描述
10ETF06S 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
10ETS12S 10 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
10ETS12STRR 10 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
10ETS16STRL 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
10ETS16STRR 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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