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參數(shù)資料
| 型號： | 10ETF04STRR |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | 10ETF04STRR |
4
10ETF..S QUIET
IR Series
I2140 rev. A 12/99
www.irf.com
Fig. 8 - Recovery Time Characteristics, T
J
= 25°C
Fig. 9 - Recovery Time Characteristics, T
J
=150°C
Fig.7-ForwardVoltageDropCharacteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
40
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100
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140
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1
10
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P
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A
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N u m b er O f Equ a l A m p li tude Ha lf C y cle Cu r rent Pu ls es (N )
In itia l T = 1 5 0°C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
At Any Ra te d L o ad C o n ditio n And W ith
R ate d V
A pp lie d Fo llo w in g S urg e .
RRM
1 0 ETF..S Series
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)
Pulse Train Du ration (s )
In itia l T
= 1 5 0 °C
N o V olta ge R ea p plied
R ated V
R ea p plied
RR M
Vers u s Pu lse Tr a in D ur atio n.
M axim um N o n Re p e titive Su rg e C urre n t
J
1 0 E TF..S Series
1
10
10 0
0.511.5
22 .5
3
T = 2 5 °C
J
In
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C
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t(
A
)
In stantan eous Forw ard Volt ag e (V )
T = 150 °C
J
1 0 E TF. .S Ser ies
0
0. 05
0. 1
0. 15
0. 2
0
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R a t e O f Fa ll O f Fo r w a rd C u rre n t - d i/d t (A / s)
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1 A
I
= 2 0 A
FM
2 A
1 0 ETF..S Ser ie s
T = 25 ° C
J
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
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-
T
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(
s)
Rate Of Fall Of Forward Current - di/dt (A/ s)
5 A
1 A
I
= 2 0 A
FM
2 A
1 0 E TF..S Series
T = 150 °C
J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 10ETS16STRL | 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10ETS16STRR | 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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參數(shù)描述 |
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| 10ETF06FPPBF | 功能描述:DIODE FAST 600V 10A TO220ACFP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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