參數(shù)資料
型號： 03P6MG
廠商： NEC Corp.
英文描述： 300 mA HIGH-WITHSTANDING-VOLTAGE MOLD SCR
中文描述： 300毫安高耐壓電壓模具可控硅
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： 03P6MG
Data Sheet D15290EJ4V0DS
3
03P4MG,03P6MG
Figure 3. Gate Rating
Figure 4. Example of Gate Characteristics
Gat
e
Forw
ard
V
o
lt
age
V
FG
(V
)
PG(AV) = 10 mW
PGM = 100 mW
IFG = 100 mA
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
20
40
60
80
100
120
Gate Forward Current IFG (mA)
Gat
e
Tri
gger
V
o
lt
age
V
GT
(V
)
Tj =
40C
0C
25C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
200
300
50
150
250
350
Gate Trigger Current IGT (
A)
Figure 5. IGT vs. TA Example of Characteristics
Figure 6. VGT vs. TA Example of Characteristics
Gat
e
Tri
gger
Current
IGT
(
A)
100
10
1
0.1
40 20 0
40
80
20
60
100
140
120
Ambient Temperature TA (°C)
Gat
e
Tri
gger
V
o
lt
age
V
GT
(V
)
40 20 0
40
80
20
60
100
140
120
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0.4
0
Ambient Temperature TA (°C)
Figure 7. iGS vs.
ττττ Example of Characteristics
Figure 8.
υυυυGT vs. ττττ Example of Characteristics
S
uppl
y
Gat
e
Tri
gger
Current
i
GS
(m
A
)
TA = 25C
iGS
RGK
1 k
10
5
1
0.5
0.1
1
10
1000
100
Pulse Width
τ (
s)
Gat
e
Tri
gger
V
o
lt
age
υ
GT
(V
)
TA = 25C
1
10
1000
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Pulse Width
τ (
s)
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