參數(shù)資料
型號(hào)： μPD431632L
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步靜態(tài)RAM)
中文描述： 100萬(wàn)位CMOS同步快速靜態(tài)存儲(chǔ)器（100萬(wàn)的CMOS同步靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 8/20頁(yè)
文件大?。?/td> 166K
代理商： ΜPD431632L
8
μ
PD431632L
DC Characteristics (T
A
= 0 to 70 °C, V
DD
= 3.3 V ± 0.165 V)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
V
IN
(except ZZ, MODE) = 0 V to V
DD
–2
+2
μ
A
ZZ, MODE = 0 V or V
DD
–5
+5
I/O leakage current
I
LO
V
I/O
= 0 V to V
DD
Q, Outputs are disabled.
–2
+2
μ
A
Operating supply current
I
CC
Device selected, Cycle = MAX.
-A6
220
mA
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
, I
I/O
= 0 mA
-A7
200
-A6
60
I
CC1
Suspend cycle, Cycle = MAX.
/AC, /AP, /ADV, /GW, /BWEs
≥
V
IH
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
, I
I/O
= 0 mA
-A7
50
Standby supply current
I
SB
Device deselected, Cycle = 0 MHz
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
, All inputs are static.
35
mA
I
SB1
Device deselected, Cycle = 0 MHz
V
IN
≤
0.2 V or V
IN
≥
V
DD
0.2V
V
I/O
≤
0.2 V, All inputs are static.
0.5
20
I
SB2
Device deselected, Cycle = MAX.
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
ZZ
≥
V
DD
–
0.2 V, V
I/O
≤
V
DD
Q + 0.2 V
50
140
Power down supply current
I
SBZZ
0.5
20
mA
2.5 V LVTTL interface
High level output voltage
V
OH
I
OH
= –2.0 mA
2.1
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= +2.0 mA
0.3
V
3.3 V LVTTL interface
High level output voltage
V
OH
I
OH
= –4.0 mA
2.4
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= +8.0 mA
0.4
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PD432206 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 2200V 600A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
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