- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384065 > μPD431009 (NEC Corp.) 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | μPD431009 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài)) |
| 中文描述： | 100萬位的CMOS高速靜態(tài)RAM（100萬位的CMOS快速靜態(tài)） |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | ΜPD431009 |
8
μ
PD431009
Write Cycle
μ
PD431009LE-15
μ
PD431009LE-17
μ
PD431009LE-20
Parameter
Symbol
Unit
Condition
MIN.
MAX .
MIN.
MAX .
MIN.
MAX .
Write cycle time
t
WC
15
17
20
ns
CS to end of write
t
CW
10
11
12
ns
Address valid to end of write
t
AW
9
11
12
ns
Write pulse width
t
WP
9
10
10
ns
Data valid to end of write
t
DW
8
9
10
ns
Data hold time
t
DH
0
0
0
ns
Address setup time
t
AS
0
0
0
ns
Write recovery time
t
WR
0
0
0
ns
WE to output in high-Z
t
WHZ
7
7
7
ns
Note
Output active from end of write
t
OW
3
3
3
ns
Note
See the output load shown in
Fig. 2
.
Write Cycle Timing Chart 1 (WE Controlled)
t
WC
t
AS
t
WP
t
AW
t
WR
t
DW
t
DH
Data In
Hi - Z
A0 - A16 (Input)
CS (Input)
WE (Input)
I/O (Input)
I/O (Output)
t
CW
t
ACS
t
CLZ
t
OH
t
AA
t
WHZ
t
OW
Caution CS or WE should be fixed to high level during address transition.
Remark 1.
Write operation is done during the overlap time of a low level CS and a low level WE.
2.
During t
WHZ
, I/O pins are in the output state, therefore the input signals of opposite phase to
the output must not be applied.
3.
When WE is at low level, the output state is always Hi-Z. When WE is at high level, read
operation is executed. Therefore OE should be at high level to make the output state Hi-Z.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD431232AL | 1M CMOS synchronous Fast static RAM(1M 位CMOS 同步快速靜態(tài)RAM) |
| μPD431532L | 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態(tài)RAM) |
| μPD431536L | 1M-Bit CMOS Synchronous Fast Static RAM(1M CMOS 同步快速靜態(tài)RAM) |
| μPD431632L | 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步靜態(tài)RAM) |
| μPD43256B-X | 256K-Bit CMOS Static RAM(256K CMOS 靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD43-102M | 功能描述:固定電感器 1uH 20% .049ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| PD43-103M | 功能描述:固定電感器 10uH 20% .182ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| PD431207 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1200V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
| PD43-123M | 功能描述:固定電感器 12uH 20% .21ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| PD431407 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1400V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。